IRFB3206GPBF

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Numéro d'article IRFB3206GPBF
LIXINC Part # IRFB3206GPBF
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRFB3206GPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRFB3206GPBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRFB3206GPBF
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:HEXFET®
emballer:Tube
état de la pièce:Not For New Designs
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:120A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 150µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:170 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:6540 pF @ 50 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):300W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220AB
paquet / caisse:TO-220-3

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