FQU10N20LTU | Rochester Electronics FQU10N20LTU | FQU10N20LTU Inventory, Best Pricing

FQU10N20LTU

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	FQU10N20LTU
LIXINC Part #	FQU10N20LTU
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FQU10N20LTU Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FQU10N20LTU Caractéristiques

Numéro d'article:	FQU10N20LTU
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	QFET®
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	7.6A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	830 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.5W (Ta), 51W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	I-PAK
paquet / caisse:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA