IPN80R3K3P7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPN80R3K3P7ATMA1 | IPN80R3K3P7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPN80R3K3P7ATMA1

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Numéro d'article	IPN80R3K3P7ATMA1
LIXINC Part #	IPN80R3K3P7ATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPN80R3K3P7ATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 24 - Sep 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IPN80R3K3P7ATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IPN80R3K3P7ATMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	CoolMOS™ P7
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	800 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	1.9A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	3.3Ohm @ 590mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 30µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	5.8 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	120 pF @ 500 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	6.1W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-SOT223
paquet / caisse:	TO-261-3