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Numéro d'article | BSZ028N04LSATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ028N04LSATMA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | BSZ028N04LSATMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | BSZ028N04LSATMA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | OptiMOS™ |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 40 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 21A (Ta), 40A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 2.8mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | - |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 32 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 2300 pF @ 20 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 2.1W (Ta), 63W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TSDSON-8-FL |
paquet / caisse: | 8-PowerTDFN |
AUIRFU8405 | MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK | 7051 Plus sur la commande |
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DMN2075UDW-7 | MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363 | 950 Plus sur la commande |
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STD18NF25 | MOSFET N-CH 250V 17A DPAK | 928 Plus sur la commande |
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IXFK320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 320A TO264AA | 494135 Plus sur la commande |
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IPA90R800C3 | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220 | 891 Plus sur la commande |
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NVTFWS003N04CTAG | MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN | 6980 Plus sur la commande |
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SQJ412EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 | 12558 Plus sur la commande |
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BSS606NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89 | 5548 Plus sur la commande |
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FDMA86251 | MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET | 2147484469 Plus sur la commande |
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IRFH8337TRPBF | MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN | 829 Plus sur la commande |
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IPA60R060C7XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 16A TO220 | 897 Plus sur la commande |
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SISHA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 25A/30A PPAK | 966 Plus sur la commande |
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BSC520N15NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5 | 2794 Plus sur la commande |
En stock | 10185 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.36000 | $1.36 |
5000 | $0.54961 | $2748.05 |
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