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IRFH8337TRPBF

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Numéro d'article	IRFH8337TRPBF
LIXINC Part #	IRFH8337TRPBF
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRFH8337TRPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRFH8337TRPBF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRFH8337TRPBF
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	HEXFET®
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	12A (Ta), 35A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	12.8mOhm @ 16.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	790 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.2W (Ta), 27W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PQFN (5x6)
paquet / caisse:	8-PowerTDFN