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STLD200N4F6AG

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Numéro d'article	STLD200N4F6AG
LIXINC Part #	STLD200N4F6AG
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	STLD200N4F6AG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

STLD200N4F6AG Caractéristiques

Numéro d'article:	STLD200N4F6AG
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	120A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	6.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	1.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	172 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	10700 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	158W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PowerFlat™ (5x6) Dual Side
paquet / caisse:	8-PowerWDFN