NTD4302T4G

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Numéro d'article NTD4302T4G
LIXINC Part # NTD4302T4G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NTD4302T4G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTD4302T4G Caractéristiques

Numéro d'article:NTD4302T4G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:8.4A (Ta), 68A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:10mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2400 pF @ 24 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1.04W (Ta), 75W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:DPAK
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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