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Numéro d'article | FDP6030BL |
LIXINC Part # | FDP6030BL |
Fabricant | Rochester Electronics |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | FDP6030BL Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | FDP6030BL |
Marque: | Rochester Electronics |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Rochester Electronics |
série: | PowerTrench® |
emballer: | Bulk |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 30 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 40A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 18mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 17 nC @ 5 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 1.16 pF @ 15 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 60W (Tc) |
température de fonctionnement: | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | TO-220-3 |
paquet / caisse: | TO-220-3 |
IXFT94N30P3 | MOSFET N-CH 300V 94A TO268 | 2947 Plus sur la commande |
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STL11N65M2 | MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H | 846 Plus sur la commande |
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TSM3446CX6 RFG | MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26 | 8589 Plus sur la commande |
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TT8U1TR | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST | 6148 Plus sur la commande |
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SSM3J112TU,LF | MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM | 952 Plus sur la commande |
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PMZ350XN,315 | MOSFET N-CH 30V 1.87A DFN1006-3 | 20953 Plus sur la commande |
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TP89R103NL,LQ | MOSFET N CH 30V 15A 8SOP | 886 Plus sur la commande |
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FCPF650N80Z | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N | 1576 Plus sur la commande |
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PMXB56ENZ | 30 V, N-CHANNEL TRENCH MOSFET | 815 Plus sur la commande |
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PSMN085-150K,518-NEX | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | 958 Plus sur la commande |
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TK65S04K3L(T6L1,NQ | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK | 811 Plus sur la commande |
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AO6400 | MOSFET N-CH 30V 6.9A 6TSOP | 801 Plus sur la commande |
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TQM025NB04CR RLG | MOSFET N-CH 40V 24A/157A 8PDFNU | 5803 Plus sur la commande |
En stock | 15756 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.58000 | $0.58 |
10 | $0.51313 | $5.1313 |
100 | $0.40552 | $40.552 |
800 | $0.27475 | $219.8 |
1600 | $0.24827 | $397.232 |
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