TK65S04K3L(T6L1,NQ

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Numéro d'article TK65S04K3L(T6L1,NQ
LIXINC Part # TK65S04K3L(T6L1,NQ
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TK65S04K3L(T6L1,NQ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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TK65S04K3L(T6L1,NQ Caractéristiques

Numéro d'article:TK65S04K3L(T6L1,NQ
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:U-MOSIV
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:65A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:4.5mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2800 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):88W (Tc)
température de fonctionnement:175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:DPAK+
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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