SSM6K361NU,LF

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Numéro d'article SSM6K361NU,LF
LIXINC Part # SSM6K361NU,LF
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SSM6K361NU,LF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SSM6K361NU,LF Caractéristiques

Numéro d'article:SSM6K361NU,LF
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:U-MOSVIII-H
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:3.5A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:69mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 100µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:3.2 nC @ 4.5 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:430 pF @ 15 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2.5W (Ta)
température de fonctionnement:150°C
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:6-UDFNB (2x2)
paquet / caisse:6-WDFN Exposed Pad

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