DMN2300UFB4-7B | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B

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Numéro d'article	DMN2300UFB4-7B
LIXINC Part #	DMN2300UFB4-7B
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	DMN2300UFB4-7B Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

DMN2300UFB4-7B Caractéristiques

Numéro d'article:	DMN2300UFB4-7B
Marque:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	1.3A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	175mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	950mV @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	1.6 nC @ 4.5 V
vg (max):	±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	64.3 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	500mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	X2-DFN1006-3
paquet / caisse:	3-XFDFN