BSS308PEH6327XTSA1

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Numéro d'article BSS308PEH6327XTSA1
LIXINC Part # BSS308PEH6327XTSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BSS308PEH6327XTSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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BSS308PEH6327XTSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:BSS308PEH6327XTSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:OptiMOS™
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:2A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:80mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 11µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:5 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:500 pF @ 15 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):500mW (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-23-3
paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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