PMZB670UPE,315 | Nexperia PMZB670UPE,315 | PMZB670UPE,315 Inventory, Best Pricing

PMZB670UPE,315

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Numéro d'article	PMZB670UPE,315
LIXINC Part #	PMZB670UPE,315
Fabricant	Nexperia
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PMZB670UPE,315 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 27 - Oct 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

PMZB670UPE,315 Caractéristiques

Numéro d'article:	PMZB670UPE,315
Marque:	Nexperia
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Nexperia
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	680mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.8V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	850mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	1.14 nC @ 4.5 V
vg (max):	±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	87 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	360mW (Ta), 2.7W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	DFN1006B-3
paquet / caisse:	3-XFDFN