STW21NM60ND

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Numéro d'article STW21NM60ND
LIXINC Part # STW21NM60ND
Fabricant STMicroelectronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO STW21NM60ND Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 27 - Oct 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STW21NM60ND Caractéristiques

Numéro d'article:STW21NM60ND
Marque:STMicroelectronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:STMicroelectronics
série:FDmesh™ II
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:17A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:220mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:60 nC @ 10 V
vg (max):±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1800 pF @ 50 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):140W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3
paquet / caisse:TO-247-3

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