RSH100N03TB1 | ROHM Semiconductor RSH100N03TB1 | RSH100N03TB1 Inventory, Best Pricing

RSH100N03TB1

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	RSH100N03TB1
LIXINC Part #	RSH100N03TB1
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RSH100N03TB1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RSH100N03TB1 Caractéristiques

Numéro d'article:	RSH100N03TB1
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Not For New Designs
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	10A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	13.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1070 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2W (Ta)
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOP
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)