IPD60R600E6ATMA1

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Numéro d'article IPD60R600E6ATMA1
LIXINC Part # IPD60R600E6ATMA1
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IPD60R600E6ATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IPD60R600E6ATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IPD60R600E6ATMA1
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:CoolMOS™ E6
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:7.3A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 200µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:20.5 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:440 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):63W (Tc)
température de fonctionnement:-
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:TO-252
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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