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TJ20S04M3L(T6L1,NQ

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Numéro d'article	TJ20S04M3L(T6L1,NQ
LIXINC Part #	TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TJ20S04M3L(T6L1,NQ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TJ20S04M3L(T6L1,NQ Caractéristiques

Numéro d'article:	TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	U-MOSVI
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	20A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	22.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	37 nC @ 10 V
vg (max):	+10V, -20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1850 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	41W (Tc)
température de fonctionnement:	175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	DPAK+
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63