IPD096N08N3GATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD096N08N3GATMA1 | IPD096N08N3GATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD096N08N3GATMA1

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Numéro d'article	IPD096N08N3GATMA1
LIXINC Part #	IPD096N08N3GATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPD096N08N3GATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IPD096N08N3GATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IPD096N08N3GATMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	73A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	9.6mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 46µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2410 pF @ 40 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	100W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO252-3
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STP5N105K5	MOSFET N-CH 1050V 3A TO220	1843 Plus sur la commande
IXTA2N100P-TRL	MOSFET N-CH 1000V 2A TO263	904 Plus sur la commande
SIHB22N60E-GE3	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK	7781 Plus sur la commande
FQB7P20TM-F085	MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK	1249 Plus sur la commande
R6004ENDTL	MOSFET N-CH 600V 4A CPT3	3334 Plus sur la commande
IXFH230N075T2	MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD	1861 Plus sur la commande
FQPF18N20V2	MOSFET N-CH 200V 18A TO220F	2113 Plus sur la commande
IPW60R250CPFKSA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	942 Plus sur la commande
BUK7Y6R0-60EX	MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56	905 Plus sur la commande
IPD70N04S307ATMA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	10680 Plus sur la commande
AOB282L	MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263	893 Plus sur la commande
FQNL2N50BTA	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0	20896 Plus sur la commande
DMP6185SE-13	MOSFET P-CH 60V 3A SOT223	3067 Plus sur la commande