FQB7P20TM-F085

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Numéro d'article FQB7P20TM-F085
LIXINC Part # FQB7P20TM-F085
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FQB7P20TM-F085 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 15 - Sep 19 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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FQB7P20TM-F085 Caractéristiques

Numéro d'article:FQB7P20TM-F085
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:Automotive, AEC-Q101, QFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Not For New Designs
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:7.3A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:690mOhm @ 3.65A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:770 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):3.13W (Ta), 90W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:D²PAK (TO-263AB)
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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