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Numéro d'article | EPC2021 |
LIXINC Part # | EPC2021 |
Fabricant | EPC |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | GANFET N-CH 80V 90A DIE |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | EPC2021 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | EPC2021 |
Marque: | EPC |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | EPC |
série: | eGaN® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
tension drain-source (vdss): | 80 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 90A (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 5V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 2.5mOhm @ 29A, 5V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.5V @ 14mA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 15 nC @ 5 V |
vg (max): | +6V, -4V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 1650 pF @ 40 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | - |
température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | Die |
paquet / caisse: | Die |
ZXMN3B04N8TA | MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO | 921 Plus sur la commande |
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FQD5N20LTM | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK | 2796 Plus sur la commande |
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IXFH13N80 | MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD | 1600 Plus sur la commande |
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IPA60R520E6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP | 999 Plus sur la commande |
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DKI06186 | MOSFET N-CH 60V 31A TO252 | 943 Plus sur la commande |
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IRFR4105TRLPBF | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK | 917 Plus sur la commande |
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IPT004N03LATMA1 | MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF | 887 Plus sur la commande |
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IPW60R199CP | 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M | 848 Plus sur la commande |
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SIRA01DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8 | 1945 Plus sur la commande |
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IPD90N04S40-4ATMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 949 Plus sur la commande |
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RM170N30DF | MOSFET N-CHANNEL 30V 170A 8DFN | 865 Plus sur la commande |
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BSC882N03MSG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 24902 Plus sur la commande |
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STW40N95DK5 | MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247 | 922 Plus sur la commande |
En stock | 12959 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $7.91000 | $7.91 |
500 | $4.85915 | $2429.575 |
1000 | $4.38891 | $4388.91 |
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