ZXMN3B04N8TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA

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Numéro d'article	ZXMN3B04N8TA
LIXINC Part #	ZXMN3B04N8TA
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	ZXMN3B04N8TA Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

ZXMN3B04N8TA Caractéristiques

Numéro d'article:	ZXMN3B04N8TA
Marque:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	7.2A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	2.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 7.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	23.1 nC @ 4.5 V
vg (max):	±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2480 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SO
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)