PHK12NQ03LT,518

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Numéro d'article PHK12NQ03LT,518
LIXINC Part # PHK12NQ03LT,518
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO PHK12NQ03LT,518 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
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PHK12NQ03LT,518 Caractéristiques

Numéro d'article:PHK12NQ03LT,518
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:TrenchMOS™
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:11.8A (Tj)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:10.5mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:17.6 nC @ 5 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.335 pF @ 16 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2.5W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-SO
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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