BSC018NE2LSIATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC018NE2LSIATMA1 | BSC018NE2LSIATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC018NE2LSIATMA1

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Numéro d'article	BSC018NE2LSIATMA1
LIXINC Part #	BSC018NE2LSIATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSC018NE2LSIATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BSC018NE2LSIATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BSC018NE2LSIATMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	25 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	29A (Ta), 100A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	1.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	36 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2500 pF @ 12 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.5W (Ta), 69W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TDSON-8-6
paquet / caisse:	8-PowerTDFN