IRLU3802PBF

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Numéro d'article IRLU3802PBF
LIXINC Part # IRLU3802PBF
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description HEXFET POWER MOSFET
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRLU3802PBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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IRLU3802PBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRLU3802PBF
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:HEXFET®
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):12 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:84A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.8V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:8.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.9V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:41 nC @ 5 V
vg (max):±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2.49 pF @ 6 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):88W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK
paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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