BSH108,215 | Nexperia BSH108,215 | BSH108,215 Inventory, Best Pricing

BSH108,215

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Numéro d'article	BSH108,215
LIXINC Part #	BSH108,215
Fabricant	Nexperia
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSH108,215 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BSH108,215 Caractéristiques

Numéro d'article:	BSH108,215
Marque:	Nexperia
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Nexperia
série:	TrenchMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	1.9A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	190 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	830mW (Tc)
température de fonctionnement:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-236AB
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3