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BTS115ANKSA1

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Numéro d'article	BTS115ANKSA1
LIXINC Part #	BTS115ANKSA1
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 50V 15.5A TO220AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BTS115ANKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BTS115ANKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BTS115ANKSA1
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	TEMPFET®
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	50 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	15.5A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 7.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	735 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	50W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	P-TO220AB
paquet / caisse:	TO-220-3