IPP80N06S2L06AKSA2

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Numéro d'article IPP80N06S2L06AKSA2
LIXINC Part # IPP80N06S2L06AKSA2
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IPP80N06S2L06AKSA2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IPP80N06S2L06AKSA2 Caractéristiques

Numéro d'article:IPP80N06S2L06AKSA2
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:OptiMOS™
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):55 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:80A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:6.3mOhm @ 69A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 180µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:150 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:3.8 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):250W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO220-3-1
paquet / caisse:TO-220-3

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