NTLJF4156NT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G

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Numéro d'article	NTLJF4156NT1G
LIXINC Part #	NTLJF4156NT1G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NTLJF4156NT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 12 - Sep 16 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NTLJF4156NT1G Caractéristiques

Numéro d'article:	NTLJF4156NT1G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.5A (Tj)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	6.5 nC @ 4.5 V
vg (max):	±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	427 pF @ 15 V
fonction fet:	Schottky Diode (Isolated)
puissance dissipée (max):	710mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	6-WDFN (2x2)
paquet / caisse:	6-WDFN Exposed Pad