TSM2N100CH C5G | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM2N100CH C5G | TSM2N100CH C5G Inventory, Best Pricing

TSM2N100CH C5G

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	TSM2N100CH C5G
LIXINC Part #	TSM2N100CH C5G
Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TSM2N100CH C5G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TSM2N100CH C5G Caractéristiques

Numéro d'article:	TSM2N100CH C5G
Marque:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	TSC (Taiwan Semiconductor)
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	1000 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	1.85A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	8.5Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	625 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	77W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-251 (IPAK)
paquet / caisse:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA