IXTH3N120

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Numéro d'article IXTH3N120
LIXINC Part # IXTH3N120
Fabricant Wickmann / Littelfuse
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 1200V 3A TO247
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IXTH3N120 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IXTH3N120 Caractéristiques

Numéro d'article:IXTH3N120
Marque:Wickmann / Littelfuse
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Wickmann / Littelfuse
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):1200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:3A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:4.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:39 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1300 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):200W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-247 (IXTH)
paquet / caisse:TO-247-3

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