DMT8012LFG-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

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Numéro d'article	DMT8012LFG-13
LIXINC Part #	DMT8012LFG-13
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	DMT8012LFG-13 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

DMT8012LFG-13 Caractéristiques

Numéro d'article:	DMT8012LFG-13
Marque:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	9.5A (Ta), 35A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	16mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1949 pF @ 40 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.2W (Ta), 30W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PowerDI3333-8
paquet / caisse:	8-PowerVDFN