IRF6722MTRPBF

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Numéro d'article IRF6722MTRPBF
LIXINC Part # IRF6722MTRPBF
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRF6722MTRPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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IRF6722MTRPBF Caractéristiques

Numéro d'article:IRF6722MTRPBF
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:HEXFET®
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:13A (Ta), 56A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:7.7mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 50µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 4.5 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.3 pF @ 15 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2.3W (Ta), 42W (Tc)
température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:DIRECTFET™ MP
paquet / caisse:DirectFET™ Isometric MP

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