PMZB790SN,315

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Numéro d'article PMZB790SN,315
LIXINC Part # PMZB790SN,315
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO PMZB790SN,315 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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PMZB790SN,315 Caractéristiques

Numéro d'article:PMZB790SN,315
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:650mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:940mOhm @ 300mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:1.37 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:35 pF @ 30 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):360mW (Ta), 2.7W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:DFN1006B-3
paquet / caisse:3-XFDFN

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