FQP16N25C

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Numéro d'article FQP16N25C
LIXINC Part # FQP16N25C
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FQP16N25C Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FQP16N25C Caractéristiques

Numéro d'article:FQP16N25C
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:QFET®
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):250 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:15.6A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:270mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:53.5 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.08 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):139W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220-3
paquet / caisse:TO-220-3

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