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STB7NK80Z-1

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Numéro d'article	STB7NK80Z-1
LIXINC Part #	STB7NK80Z-1
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	STB7NK80Z-1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

STB7NK80Z-1 Caractéristiques

Numéro d'article:	STB7NK80Z-1
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	SuperMESH™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	800 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	5.2A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	1.8Ohm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 100µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1138 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	125W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	I2PAK
paquet / caisse:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA