R6020FNX

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Numéro d'article R6020FNX
LIXINC Part # R6020FNX
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO R6020FNX Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

R6020FNX Caractéristiques

Numéro d'article:R6020FNX
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Not For New Designs
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:20A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:250mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:65 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2040 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):50W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220FM
paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack

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