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Numéro d'article | FDP14AN06LA0 |
LIXINC Part # | FDP14AN06LA0 |
Fabricant | Rochester Electronics |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | FDP14AN06LA0 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | FDP14AN06LA0 |
Marque: | Rochester Electronics |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Rochester Electronics |
série: | PowerTrench® |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Obsolete |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 60 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 10A (Ta), 67A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 11.6mOhm @ 67A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 31 nC @ 5 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 2.9 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 125W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | TO-220-3 |
paquet / caisse: | TO-220-3 |
RRH090P03TB1 | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP | 3036 Plus sur la commande |
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IPI90R340C3XKSA1 | MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3 | 1370 Plus sur la commande |
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IPP60R750E6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-3 | 986 Plus sur la commande |
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APT50M65LFLLG | MOSFET N-CH 500V 67A TO264 | 965 Plus sur la commande |
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IRF2807PBF | MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB | 827 Plus sur la commande |
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RZR040P01TL | MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3 | 10826 Plus sur la commande |
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IPS70R600P7SAKMA1 | MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3 | 2602 Plus sur la commande |
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SQJ860EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | 13409 Plus sur la commande |
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IPD60R280P7SE8228AUMA1 | MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 | 810 Plus sur la commande |
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IPP60R170CFD7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 14A TO220-3 | 881 Plus sur la commande |
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IPI60R299CPXKSA1 | MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3 | 15800 Plus sur la commande |
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ISP25DP06LMXTSA1 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 | 2856 Plus sur la commande |
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MTB29N15ET4 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 48109 Plus sur la commande |
En stock | 15386 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.78000 | $2.78 |
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