BSC0501NSIATMA1

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Numéro d'article BSC0501NSIATMA1
LIXINC Part # BSC0501NSIATMA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BSC0501NSIATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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BSC0501NSIATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:BSC0501NSIATMA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:OptiMOS™
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:29A (Ta), 100A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:1.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2200 pF @ 15 V
fonction fet:Schottky Diode (Body)
puissance dissipée (max):2.5W (Ta), 50W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TDSON-8-6
paquet / caisse:8-PowerTDFN

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