STB80NF55L-08-1

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Numéro d'article STB80NF55L-08-1
LIXINC Part # STB80NF55L-08-1
Fabricant STMicroelectronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO STB80NF55L-08-1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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STB80NF55L-08-1 Caractéristiques

Numéro d'article:STB80NF55L-08-1
Marque:STMicroelectronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:STMicroelectronics
série:STripFET™ II
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):55 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:80A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:100 nC @ 4.5 V
vg (max):±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:4350 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):300W (Tc)
température de fonctionnement:175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:I2PAK
paquet / caisse:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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