NIF9N05CLT3G

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Numéro d'article NIF9N05CLT3G
LIXINC Part # NIF9N05CLT3G
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NIF9N05CLT3G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NIF9N05CLT3G Caractéristiques

Numéro d'article:NIF9N05CLT3G
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):59 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:2.6A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
rds sur (max) @ id, vgs:125mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 100µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
vg (max):±15V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:250 pF @ 35 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1.69W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-223 (TO-261)
paquet / caisse:TO-261-4, TO-261AA

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