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Numéro d'article | RQ3E130BNTB |
LIXINC Part # | RQ3E130BNTB |
Fabricant | ROHM Semiconductor |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | RQ3E130BNTB Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | RQ3E130BNTB |
Marque: | ROHM Semiconductor |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | ROHM Semiconductor |
série: | - |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 30 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 13A (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 6mOhm @ 13A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.5V @ 1mA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 36 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 1900 pF @ 15 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 2W (Ta) |
température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | 8-HSMT (3.2x3) |
paquet / caisse: | 8-PowerVDFN |
DMPH6250S-13 | MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 | 986 Plus sur la commande |
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2N6759 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 923 Plus sur la commande |
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NTTFS4C50NTWG | MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN | 15963 Plus sur la commande |
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SIS444DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 | 851 Plus sur la commande |
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IRFD310 | 0.4A 400V 3.600 OHM N-CHANNEL | 4420 Plus sur la commande |
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IRFH8316TRPBF | MOSFET N-CH 30V 27A/50A TDSON0 | 4872 Plus sur la commande |
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DMN3053L-13 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 | 987 Plus sur la commande |
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PSMN025-100D,118 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4 | 874 Plus sur la commande |
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SUM40012EL-GE3 | MOSFET N-CH 40V 150A TO263 | 1631 Plus sur la commande |
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IXTA75N10P | MOSFET N-CH 100V 75A TO263 | 56780 Plus sur la commande |
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DMPH4013SK3Q-13 | MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T&R | 847 Plus sur la commande |
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SQJ416EP-T1_GE3 | MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8 | 1629 Plus sur la commande |
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FCPF20N60ST | 20A, 600V, 0.19OHM, N CHANNEL , | 1927 Plus sur la commande |
En stock | 11108 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.57000 | $0.57 |
3000 | $0.15219 | $456.57 |
6000 | $0.14297 | $857.82 |
15000 | $0.13374 | $2006.1 |
30000 | $0.12913 | $3873.9 |
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