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Numéro d'article | TJ10S04M3L(T6L1,NQ |
LIXINC Part # | TJ10S04M3L(T6L1,NQ |
Fabricant | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET P-CH 40V 10A DPAK |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | TJ10S04M3L(T6L1,NQ Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | TJ10S04M3L(T6L1,NQ |
Marque: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
série: | U-MOSVI |
emballer: | Tape & Reel (TR) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | P-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 40 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 10A (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 6V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 44mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3V @ 1mA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 19 nC @ 10 V |
vg (max): | +10V, -20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 930 pF @ 10 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 27W (Tc) |
température de fonctionnement: | 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | DPAK+ |
paquet / caisse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IPD65R600C6BTMA1 | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 3905 Plus sur la commande |
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IRFB11N50APBF-BE3 | MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB | 1806 Plus sur la commande |
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IRF7490TRPBF | MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO | 1251 Plus sur la commande |
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FDMS8050 | MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN | 269296827 Plus sur la commande |
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SCT3160KW7TL | TRANS SJT N-CH 1200V 17A TO263-7 | 1820 Plus sur la commande |
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SPP80N06S-08 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2868 Plus sur la commande |
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BSC120N03LSG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 2932 Plus sur la commande |
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FDMC5614P | MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP | 992 Plus sur la commande |
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AUIRFS8408-7TRL | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK | 1193 Plus sur la commande |
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VN0606L-G | MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3 | 1735 Plus sur la commande |
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NP36N055HLE-AY | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1993 Plus sur la commande |
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IRFS7734TRLPBF | MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK | 1228 Plus sur la commande |
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RT1A045APTCR | MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST | 3791 Plus sur la commande |
En stock | 10936 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.53900 | $0.539 |
2000 | $0.52769 | $1055.38 |
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