RT1A045APTCR

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Numéro d'article RT1A045APTCR
LIXINC Part # RT1A045APTCR
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RT1A045APTCR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RT1A045APTCR Caractéristiques

Numéro d'article:RT1A045APTCR
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Not For New Designs
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):12 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:4.5A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:30mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:40 nC @ 4.5 V
vg (max):-8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:4200 pF @ 6 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):650mW (Ta)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-TSST
paquet / caisse:8-SMD, Flat Lead

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