IRFR2905ZTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFR2905ZTRPBF | IRFR2905ZTRPBF Inventory, Best Pricing

IRFR2905ZTRPBF

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IRFR2905ZTRPBF
LIXINC Part #	IRFR2905ZTRPBF
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRFR2905ZTRPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRFR2905ZTRPBF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRFR2905ZTRPBF
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	HEXFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	55 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	42A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	14.5mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	44 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1380 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	110W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	D-Pak
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63