BUK9Y19-100E,115

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Numéro d'article BUK9Y19-100E,115
LIXINC Part # BUK9Y19-100E,115
Fabricant Nexperia
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BUK9Y19-100E,115 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
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BUK9Y19-100E,115 Caractéristiques

Numéro d'article:BUK9Y19-100E,115
Marque:Nexperia
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Nexperia
série:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:56A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):5V
rds sur (max) @ id, vgs:18mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.1V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:39 nC @ 5 V
vg (max):±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:5085 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):167W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:LFPAK56, Power-SO8
paquet / caisse:SC-100, SOT-669

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