FDD86113LZ | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD86113LZ

FDD86113LZ

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Numéro d'article	FDD86113LZ
LIXINC Part #	FDD86113LZ
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FDD86113LZ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FDD86113LZ Caractéristiques

Numéro d'article:	FDD86113LZ
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	PowerTrench®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	104mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	6 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	285 pF @ 50 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.1W (Ta), 29W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	D-PAK (TO-252)
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63