APTM100UM45DAG | Roving Networks / Microchip Technology APTM100UM45DAG

APTM100UM45DAG

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Numéro d'article	APTM100UM45DAG
LIXINC Part #	APTM100UM45DAG
Fabricant	Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	APTM100UM45DAG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

APTM100UM45DAG Caractéristiques

Numéro d'article:	APTM100UM45DAG
Marque:	Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Roving Networks / Microchip Technology
série:	POWER MOS 7®
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	1000 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	215A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	52mOhm @ 107.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 30mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	1602 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	42700 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	5000W (Tc)
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SP6
paquet / caisse:	SP6