TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Inventory, Best Pricing

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
LIXINC Part #	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Caractéristiques

Numéro d'article:	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	U-MOSVI
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	8A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	104mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vg (max):	+10V, -20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	890 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	27W (Tc)
température de fonctionnement:	175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	DPAK+
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63