FDB8870 | Rochester Electronics FDB8870 | FDB8870 Inventory, Best Pricing

FDB8870

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Numéro d'article	FDB8870
LIXINC Part #	FDB8870
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FDB8870 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

FDB8870 Caractéristiques

Numéro d'article:	FDB8870
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	PowerTrench®
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	23A (Ta), 160A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	3.9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	132 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	5.2 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	160W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-263AB
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB