DMTH10H010SPSQ-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMTH10H010SPSQ-13 | DMTH10H010SPSQ-13 Inventory, Best Pricing

DMTH10H010SPSQ-13

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Numéro d'article	DMTH10H010SPSQ-13
LIXINC Part #	DMTH10H010SPSQ-13
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	DMTH10H010SPSQ-13 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

DMTH10H010SPSQ-13 Caractéristiques

Numéro d'article:	DMTH10H010SPSQ-13
Marque:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	11.8A (Ta), 100A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	8.8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	56.4 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	4468 pF @ 50 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.5W (Ta), 166W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PowerDI5060-8
paquet / caisse:	8-PowerTDFN